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J-GLOBAL ID：201702284902487517   整理番号：17A0374495

パターン化されたSi(001)基板上に成長させたエピタキシャルGe結晶の歪緩和【Powered by NICT】

Strain relaxation in epitaxial Ge crystals grown on patterned Si(001) substrates

著者 (9件)： Arroyo Rojas Dasilva Yadira (Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland) ,  Rossell Marta D. (Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland) ,  Isa Fabio (Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland) ,  Isa Fabio (Laboratory for Solid State Physics, ETH Zuerich, Otto-Stern-Weg 1, Zuerich CH-8093, Switzerland) ,  Erni Rolf (Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland) ,  Isella Giovanni (L-NESS and Department of Physics, Politecnico di Milano and IFN-CNR, Via Anzani 42, Como I-22100, Italy) ,  Kaenel Hans von (Electron Microscopy Center, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129, Duebendorf CH-8600, Switzerland) ,  Kaenel Hans von (Laboratory for Solid State Physics, ETH Zuerich, Otto-Stern-Weg 1, Zuerich CH-8093, Switzerland) ,  Groning Pierangelo (Department of Advanced Materials and Surfaces, EMPA, Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology, UEberlandstrasse 129,CH-8600 Duebendorf, Switzerland)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 127  ページ： 169-172  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,歪緩和によるSi(001)ピラー上に成長させたGe結晶中に形成された欠陥について報告した。解析を,高角度環状暗視野走査型透過電子顕微鏡により行った。Burgersベクトルb→=12の60°と90°不整合転位によって起こる歪緩和<110>。ミスフィット転位はBurgersベクトルb→=16<112>部分転位を形成する分割可能性があり,積層欠陥によって分離した。に加えて,異なる{111}面における固有積層欠陥は互いに形成階段ロッド転位を相互作用し,消滅する。Σ3{111}およびΣ3{112}型のコヒーレント及びインコヒーレント双晶境界もGeで見出されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶 ,  双晶 ,  Burgersベクトル ,  *ケイ素 ,  不整合転位 ,  *エピタクシー ,  コヒーレンス ,  部分転位 ,  *ゲルマニウム ,  双晶境界 ,  *パターン形成 ,  積層欠陥
準シソーラス用語： 暗視野 ,  環状 ,  *歪緩和 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 転位 ,  積層欠陥 ,  双晶 ,  HAADF-STEM ,  Ge

分類 (3件)： 金属の格子欠陥  (BK12030F) ,  機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  成長 ,  エピタキシャル ,  Ge ,  結晶 ,  歪緩和