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J-GLOBAL ID:201702285130733649   整理番号:17A0550015

Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善

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資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.16a-P5-6  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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