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J-GLOBAL ID：201702285169859405   整理番号：17A0214325

電流,120mV動作のためのトンネルFETの設計【Powered by NICT】

A tunnel FET design for high-current, 120 mV operation

著者 (9件)： Long P. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Huang J. Z. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Povolotskyi M. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Verreck D. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Charles J. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Kubis T. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Klimeck G. (Network for computational nanotechnology, Purdue University, West Lafayette, IN 47906) ,  Rodwell M. J.W. (ECE Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106-95603) ,  Calhoun B. H. (ECE Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904-4743)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 30.2.1-30.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は0.08~0.18Vの間の供給電圧V_ddで論理トランジスタ動作のシミュレーションを報告した。トンネルFET(TFET)は低オフ電流I_offと低電圧で作動することができるが,オン電流I_onは低トンネル確率によって大きく減少した。ドレインFermi準位はチャネル伝導帯エネルギーに近づくと最小実現可能なVddはtarget/on//off比を与えられたトランジスタサブ閾値スイング(SS)だけでなく,ドレイン電流の低下によって制約されている。出力コンダクタンスはTFET電圧利得を減少させ,論理ゲート雑音余裕を損なう;TFETしきい値電圧Vhの増加ノイズマージンを増加させるI_onとI_offの両方を減少させた。10~ 3A/m I_offを持つ弾道シミュレーションにおいて,重ヘテロ接合トンネルFET(3HJ TFETs)はV_dd=0.12VでV_dd=0.18Vと195A/mで>50%トンネル確率と高265A/m I_onを示した。220meV/nmの光学的変形定数(散乱強度に比例する)を用いたシミュレーションにおいて,1.1×10~5cm~2V~ 1s~ 1と一致し,固定I_offとV_dd与えられたは31%I_onを減少させた。弾道シミュレーションにおいて,10~ 3A/m I_offに必要な0.02VによるVthを増加させ,24%V_ddの雑音余裕はV_dd=0.12Vで得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  伝導バンド ,  コンダクタンス ,  Fermi準位 ,  シミュレーション ,  雑音余裕 ,  *電流
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  論理ゲート ,  電圧利得 ,  ドレイン電流 ,  サブ閾値スイング ,  低電圧 ,  供給電圧 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネルFET ,  設計