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J-GLOBAL ID：201702285431053859   整理番号：17A0055470

GaAs基板上のネガ型電子ビームnanoresist HSQの研究【Powered by NICT】

Study of negative electron beam nanoresist HSQ on GaAs substrate

著者 (6件)： Andok R. (Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ 9, 84507 Bratislava) ,  Bencurova A. (Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ 9, 84507 Bratislava) ,  Kostic I. (Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ 9, 84507 Bratislava) ,  Ritomsky A. (Institute of Informatics, Slovak Academy of Sciences, Du ́bravska ́ 9, 84507 Bratislava) ,  Skriniarova J. (Institute of Electronics and Photonics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Slovak University of Technology, Ilkovic∨ova 3, 81219 Bratislava, Slovakia) ,  Vutova K. (Institute of Electronics, Bulgarian Academy of Sciences, 72 Tzarigradsko shosse, 1784 Sofia, Bulgaria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ASDAM  ページ： 133-136  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,40keVの電子エネルギーでのGaAs基板上に水素シルセスキオキサン(HSQ)無機ネガ型電子レジストを特性化することである。レジストプロフィルに及ぼすプロセスパラメータの影響は,垂直側壁を得る目的で調べた。近接効果関数パラメータ(β_f,β_bとη_E)の値はモンテカルロ法を用いて計算した。HSQレジストプロファイルの観測は線幅寸法のセットに対して行った。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  *電子ビーム ,  キャラクタリゼーション ,  プロセスパラメータ ,  レジスト ,  近接効果 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： 線幅 ,  水素シルセスキオキサン ,  電子エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs基板 ,  ネガ ,  電子ビーム ,  研究