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J-GLOBAL ID：201702285581858448   整理番号：17A0704708

(001)Siとそれらの増強された電界放出特性に及ぼす針状Siナノワイヤの周期的アレイの作製【Powered by NICT】

Fabrication of periodic arrays of needle-like Si nanowires on (001)Si and their enhanced field emission characteristics

著者 (4件)： Cheng S. L. (Department of Chemical and Materials Engineering, National Central University, Chung-Li District, Taoyuan City, Taiwan, Republic of China. [e-mail]) ,  Lin H. C. ,  Huang Y. H. ,  Yang S. C.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 39  ページ： 23935-23941  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 針状および円錐状Siナノ構造の規則的配列を,(001)Si基板上に作製することに成功した。テーパ状Siナノ構造アレイの形態と寸法はAgナノ粒子触媒エッチング/除去(ACER)サイクルを調整することによって容易に制御できた。全ての作製された垂直テーパ状Siナノ構造は単結晶であり,それらの軸結晶学的方位は(001)Si基板と同じであった。生成した長い針状Siナノワイヤを作製したままと短い円錐状Siナノワイヤに比べて優れた電界放出特性を示した。長い針状Siナノワイヤアレイの増強された電界放出性能は良好な垂直整列,鋭い先端,高アスペクト比,単結晶構造および良好に秩序化した配列に起因すると考えられる。実験結果を適切な対照とともに,ここで提案した複合アプローチは,他の高度に規則化した垂直整列したテーパ付Siナノワイヤアレイを作製するための適用可能であることが期待される刺激的な展望を提示し,種々の高効率Si系電界放出ナノデバイスを構築への応用の可能性を提供するかもしれない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  円錐 ,  *電界放出 ,  結晶方位 ,  エッチング ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  高効率 ,  高アスペクト比 ,  垂直配向 ,  ナノワイヤアレイ ,  テーパ ,  シリコンウエハ ,  *針状 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  増強 ,  電界放出 ,  針状 ,  ナノワイヤ ,  アレイ ,  作製