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J-GLOBAL ID:201702285931877979   整理番号:17A0165312

ZRドーピングYBCO薄膜の性能研究を低フッ素化MOD法により調製した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation and Properties Study of Zr Doped YBCO Thick Film by LF-MOD
著者 (7件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 2193-2197  発行年: 2016年 
JST資料番号: W0398A  ISSN: 1000-985X  CODEN: RJXUEN  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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膜厚の増加は,YBCO被覆の超伝導体の導電性を改善するための一般的方法である。薄膜の臨界電流密度(JC)は,膜厚を増加させることによって,外部電場で急速に減少することは,YBCO被覆導体の工業化を実現するための鍵である。本論文では,膜厚と性能の間の関係を研究するために,高Ding扎効果を有するZRドープYBCO薄膜を選択した。200NM(単層膜),400NM(二層膜),600NM(三層膜)及び800NM(四層膜)の厚さをもつZR/YBCO複合膜をLAALO_3基板上にそれぞれ単回,二回,三回及び4回の被覆により調製した。/膜の微細構造,表面モルフォロジー,および超伝導特性を詳細に研究した。研究によると、低フッ素MOD法は制備厚膜を繰り返し塗布する過程において、時間を大幅に節約し、調製効率を向上させることが分かった。また、YBCO複合膜の厚さと臨界電流の関係を研究することにより、以下の結果が得られた。厚さが600NM以下の場合,複合膜厚の増加とともに,臨界電流は増加した。その中で、単層薄膜のJC値が最も大きく、3.34 MA/CM2に達した。三層膜のJC値は1.911.91/CM2に達し,その最大IC値はセンチCMに達した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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酸化物系超伝導体の物性  ,  酸化物薄膜 

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