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J-GLOBAL ID：201702286165188986   整理番号：17A0214308

超大型最終レベルキャッシュのための高速読取/書込回路を用いた新しい電圧制御されたMRAM(VCM)【Powered by NICT】

Novel voltage controlled MRAM (VCM) with fast read/write circuits for ultra large last level cache

著者 (8件)： Noguchi Hiroki (Toshiba Corporation, Corporate R&D Center, Kawasaki, Kanagawa, Japan) ,  Ikegami Kazutaka (Toshiba Corporation, Corporate R&D Center, Kawasaki, Kanagawa, Japan) ,  Abe Keiko (Toshiba Corporation, Corporate R&D Center, Kawasaki, Kanagawa, Japan) ,  Fujita Shinobu (Toshiba Corporation, Corporate R&D Center, Kawasaki, Kanagawa, Japan) ,  Shiota Yoichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Nozaki Takayuki (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Yuasa Shinji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki, Japan) ,  Suzuki Yoshishige (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Spintronics Research Center, Tsukuba, Ibaraki, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 27.5.1-27.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電圧制御MRAM(VCM)不揮発性超最終レベルキャッシュのための新しい高速読取/書込回路を提示した。さらに,書込誤り率は「連続読み出し書き込みverify」方式を用いた熱安定性因子制御による減少した劇的に。読取り誤り率もVCMの単極書込みと「読み出しディスターブフリー非破壊自己参照読取」を改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誤り率 ,  *高速度 ,  熱安定性 ,  *電圧制御 ,  非揮発性
準シソーラス用語： *超大型 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大型 ,  キャッシュ ,  読取 ,  書込回路 ,  電圧制御 ,  MRAM ,  VCM