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J-GLOBAL ID：201702286183117009   整理番号：17A0388925

トンネル接合におけるアルカンチオラートの混合単分子層への電流フラーレンの取込への応答の修正【Powered by NICT】

Rectification of current responds to incorporation of fullerenes into mixed-monolayers of alkanethiolates in tunneling junctions

著者 (7件)： Qiu Li (Stratingh Institute for Chemistry, Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, The Netherlands. [e-mail]) ,  Zhang Yanxi ,  Krijger Theodorus L. ,  Qiu Xinkai ,  Hof Patrick van’t ,  Hummelen Jan C. ,  Chiechi Ryan C.
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 8  号： 3  ページ： 2365-2372  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共晶Ga-In(EGaIn)とAu導電性プローブA FM(CP AFM)上面接合を用いた接合におけるウンデカンチオール基を有するC_60フラーレン部分の組込みによるデカンチオレートの自己組織化単分子層からなる分子接合を通る電流の整流を述べた。整流の程度は,フラーレン部分へのデカンチオレート単分子層の曝露の増加と共に増加し,24時間後に最大を通過する。は得られた混合単分子層アルカン単分子層上にあるフラーレンケージの最適充填密度を達成するためのこの観察を帰した。,整流度は,混合単分子層中に存在するフラーレンの量により制御される。Rの電圧依存性は,トップコンタクトの組成と接合に適用された力と共に変化し,光電子分光法から決定した最低非占有π状態のエネルギーは整流の方向と一致している。±0.95Vで±1Vまたは617で整流R=J(+)/( )=940の最大値は整流の程度に関連する,フロンティア軌道は局在頭基の体積に純粋な単分子層に関する以前の研究と一致した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共晶 ,  フロンティア軌道 ,  メルカプト基 ,  *単分子層 ,  導電性 ,  電流 ,  電圧依存性 ,  *フラーレン ,  光電子分光法 ,  *トンネル接合 ,  整流
準シソーラス用語： 充填密度 ,  分子接合 ,  自己集合単分子膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  分子化合物  (CE02000C)

物質索引 (1件)： ウンデカン

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル接合 ,  単分子層 ,  フラーレン ,  取込 ,  応答