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J-GLOBAL ID：201702286451467687   整理番号：17A1139699

水素終端ダイヤモンド表面上へ形成したSiO₂薄膜が2次元正孔ガス層に及ぼす影響

著者 (12件)： 矢部太一 (早稲田大) ,  工藤拓也 (早稲田大) ,  河合空 (早稲田大) ,  梶家美貴 (早稲田大) ,  大井信敬 (早稲田大) ,  大久保智 (早稲田大) ,  堀川清貴 (早稲田大) ,  蔭浦泰資 (早稲田大) ,  河野省三 (早稲田大) ,  平岩篤 (早稲田大) ,  川原田洋 (早稲田大) ,  川原田洋 (早大 材研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-A412-12  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 水素 ,  成端 ,  *ダイヤモンド ,  *二酸化ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  *二次元電子ガス ,  *正孔 ,  化学蒸着 ,  酸化アルミニウム ,  不動態化 ,  シート抵抗 ,  *二次元正孔ガス ,  表面不動態化 ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  改変
準シソーラス用語： 原子層堆積

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素終端 ,  ダイヤモンド ,  SiO2 ,  薄膜 ,  2次元正孔ガス