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J-GLOBAL ID：201702286535908532   整理番号：17A0751659

Al_xGa_1xN/GaNヘテロ構造におけるナノスケールの亀裂生成とOhm接触の形成に及ぼすそれらの影響【Powered by NICT】

Nanoscale fissure formation in Al_xGa_1-xN/GaN heterostructures and their influence on Ohmic contact formation

著者 (10件)： Smith M. D. (Nitride Materials Group, Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Smith M. D. (School of Engineering, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Thomson D. (Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, UK) ,  Zubialevich V. Z. (Nitride Materials Group, Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Li H. (Nitride Materials Group, Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Li H. (School of Engineering, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Naresh-Kumar G. (Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, UK) ,  Trager-Cowan C. (Department of Physics, University of Strathclyde, Glasgow, UK) ,  Parbrook P. J. (Nitride Materials Group, Tyndall National Institute, University College Cork, Cork, Ireland) ,  Parbrook P. J. (School of Engineering, University College Cork, Cork, Ireland)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201600353  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により成長させたAl_xGa_1xN/GaN(15 nm/1 μm)ヘテロ構造上のナノスケール表面亀裂はタッピングモード原子間力顕微鏡(A FM)と電子チャネリングコントラストイメージング(ECCI)を用いて画像化した。割れ目形成は貫通転位に関連していた,H_2とNH_3下で冷却した試料で観察され,増加するバリア層のAl含有量を開発した。障壁層Al組成分率x=0~0.37までの歪み緩和が割れ目形成にかかわらず検出されなかった。測定チャネルキャリア密度の減少は低温で亀裂試料で見出された。この不安定性は,亀裂境界に関連した浅いトラップ形成に起因している。Al含有量の高い障壁層へのTi/Al/Ni/AuのOhm接触形成には,亀裂が低抵抗接触を可能にする2DEGへの伝導経路を提供し,亀裂フリー試料亀裂試料中のこれらの測定ための接触抵抗率を達成するために金属スタックとアニール条件のさらなる最適化を必要とすることが分かった。添加では,亀裂の影響をシートと接触抵抗の熱安定性に有害であることを見出し,裂隙形成は2DEGの完全性を損なうことを示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不安定性 ,  *Ohm接触 ,  最適化 ,  チャネル ,  二次元電子ガス ,  MOCVD ,  接触抵抗 ,  キャリア密度 ,  *アルミニウム ,  熱安定性 ,  *亀裂 ,  焼なまし
準シソーラス用語： 歪緩和 ,  *ナノスケール ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  アニーリング ,  接触抵抗 ,  亀裂 ,  高電子移動度トランジスタ ,  Ohm接触

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ヘテロ構造 ,  ナノスケール ,  亀裂 ,  Ohm接触