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J-GLOBAL ID:201702286602071193   整理番号:17A0475404

酸化物半導体の無溶媒添加物形成のための有機蒸気ジェットベース経路【Powered by NICT】

Organic vapor-jet-based route for solvent-free additive formation of oxide semiconductors
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  ページ: 235-239  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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有機蒸気ジェット印刷(VJP)法を採用することにより,マスクなし印刷金属酸化物パターンに使用できる新しい無溶液技術を実証した。金属酸化物蒸発に必要な高い堆積温度を避けるために,有機金属化合物は第一金属酸化物前駆体としてジェット印刷し,光変換プロセスによる金属酸化物に変換した。例として,酸化インジウムは光変換にインジウムアセチルアセトナートのジェットプリント膜から調製した容易にできることを示したの有効性をX線光電子分光法(XPS)前駆体のアルキル鎖に伴う炭素部分の還元を示すことにより支持された。4.5cm~/vsのキャリア移動度とオン/オフ比10~5を提案した方法により調製した酸化インジウムに基づく酸化物薄膜トランジスタにおける,電子デバイス製造におけるこの過程の潜在的有用性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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太陽電池  ,  高分子固体の物理的性質 

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