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J-GLOBAL ID:201702286652808946   整理番号:17A0475400

PffBT4T 2ODのための電子輸送層としてのGaドープZnO:PC_70BM有機太陽電池【Powered by NICT】

Ga-doped ZnO as an electron transport layer for PffBT4T-2OD: PC70BM organic solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 43  ページ: 207-213  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaドープZnO(GZO)は有望なドナーに基づく有機太陽電池における電子輸送層として研究した:ポリ[(5,6-ジフルオロ-2,1,3-ベンゾチアジアゾール-4,7-ジイル)-alt-(3,3”′-ジ(octyldode cyl) 2,2′のアクセプタ系;5′,2′′; 5′′,2「′-クアテルチオ-phen-5,5”′-ジイル)](PffBT4T 2OD):フェニル C71 酪酸 メチル エステル(PC_70BM)。ITO/GZO(40 nm)/PffBT4T 2OD:PC_70BM(270 nm)/MoO_3(20 nm)/Al(100 nm)の構成を有する逆幾何学を用いて,9.74%の最大電力変換効率(PCE)を達成したが,それはドープしていないZnOをもつデバイスに対して8.72%で限られている。構造,形態,組成,および電気的特性評価に基づく著者らの研究は,ドープしていないZnOと比較して,主にGa-ZnO薄膜の改善された電気特性から生じたGZOベースデバイスのデバイス性能増強を示唆することを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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太陽電池 
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