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J-GLOBAL ID：201702286791898382   整理番号：17A0027195

異なる接続方法によるa-Si:H/c-Si p-i-n構造における電圧変調位置感度と非線形性

Voltage-Modulated Position Sensitivity and Nonlinearity in a-Si:H/”c-Si p-i-n Structure by Different Connection Methods

著者 (5件)： Liu Jihong (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China) ,  Liu Yanan (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China) ,  Qiao Shuang (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China) ,  Wang Shufang (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China) ,  Fu Guangsheng (College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1162-1165  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,a-Si:H/c-Si p-i-n構造における2つの異なる方法によるバイアス電圧変調横方向光起電力効果の重要な発見を報告した。外部バイアス電圧を印加すると,レーザパワーに線形的に依存する位置感度を有する,横方向の光起電力効果が大きく改善した。方法1では,位置感度は643.2mV/mmと高いが,直線性はバイアス電圧の値に強く依存した。しかし,方法1の非線形挙動を理解して,方法2として一対の対称接地電極を独創的に作成した。その比直線性は,バイアス電圧無しと同程度に良好であり,バイアス電圧の値とほぼ無関係であった。更に,238.1mV/mmの最大の位置感度は,バイアス電圧がない場合よりもずっと大きかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 素子構造 ,  *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  *ケイ素 ,  *光起電力効果 ,  *横方向 ,  信号変調 ,  *電圧 ,  線形性
準シソーラス用語： *a-Si:H ,  p-i-n素子構造 ,  *バイアス電圧 ,  *結晶シリコン ,  直線性 ,  変調【信号】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  変調 ,  感度 ,  非線形性