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J-GLOBAL ID：201702286952276855   整理番号：17A0047747

ピラニア前処理と堆積後アニーリングによるAl₂O₃/β-Ga₂O₃(-201)界面の改良

Al2O3/ $¥beta $ -Ga2O3(-201) Interface Improvement Through Piranha Pretreatment and Postdeposition Annealing

著者 (5件)： Zhou Hong (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Alghmadi Sami (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Si Mengwei (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Qiu Gang (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Ye Peide D. (School of Electrical and Computer Engineering and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 11  ページ： 1411-1414  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ピラニア前処理と堆積後アニーリング(PDA)による原子層堆積(ALD)Al₂O₃/β-Ga₂O₃(-201)界面の品質改善について報告した。高品質の界面は,β-Ga₂O₃の4.8eVの超広バンドギャップを考慮して,温度依存性のある容量-電圧(CV)および光アシスト(deep UV)CV測定によって検証した。ピラニアの最適化なしのヒステリシス0.45Vと比較して,1kHzから1MHzの測定周波数から0.1Vの低いCVヒステリシスを得た。2.3×10¹¹cm^-2eV^-1の平均界面トラップ密度(D_it)を光CV測定値から抽出した。ピラニア前処理およびPDAは,将来の高品質Ga₂O₃金属酸化物半導体電界効果トランジスタのためのALD Al₂O₃/β-Ga₂O₃(-201)界面を改善する効果的な方法であることがわかった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *アルミナ ,  *界面 ,  *前処理 ,  *焼なまし ,  密度 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： トラップ密度 ,  *ポストアニーリング

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面処理一般  (WC08010R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 前処理 ,  堆積 ,  アニーリング ,  Al2O3 ,  β-Ga2O3 ,  界面