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J-GLOBAL ID：201702287166290353   整理番号：17A0738624

ナノ厚TaN_x/酸素充填TaN_x構造上のCu薄膜の微細構造発展

Microstructural Evolution of Cu Thin Film on the Nano-Thin TaN_x/Oxygen Stuffed TaN_x Structure

著者 (10件)： NAM Minwoo (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Eunmi (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Areum (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Keunwon (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  ZHENG Longshou (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KWON Soon Hyeong (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Soo-Kil (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  HAHN Sang June (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  YUN Ju Young (Korea Res. Inst. Standards and Sci., Daejeon, KOR) ,  PYO Sung Gyu (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 10  ページ： 11018-11021  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの報告によると,物理蒸着したTaN_x膜は制限された側壁ステップ被覆にも係わらず,大きな拡散障壁である。本研究では,TaN_x(x=0.5)超薄膜(<30Å)をSiウエハ上にイオン化物理蒸着し,その上にCu薄膜(500Å)をイオン化物理蒸着した。ウエハを300~450°Cで焼なました。Cu薄膜はCuとSiの反応に対して著しく高い熱抵抗を示した。Cu蒸着前に酸素充填TaN_x膜上に他のTaN_xを蒸着することで,酸素充填TaN_x上に形成したCuの不規則な配向を回避できた。電着したCuダマシン線配列に対して,X線回折極点図法によりこれを確認した。

シソーラス用語： 超薄膜 ,  *タンタル化合物 ,  *窒化物 ,  薄膜成長 ,  銅 ,  *微細構造 ,  ウエハ【IC】 ,  *物理蒸着 ,  熱抵抗 ,  焼なまし ,  半導体プロセス ,  配線
準シソーラス用語： Siウエハ ,  ダマシン配線 ,  *窒化タンタル

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 厚 ,  酸素 ,  Cu ,  薄膜 ,  微細構造 ,  発展