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J-GLOBAL ID：201702287181807801   整理番号：17A0160795

花 根際圈黄土の溶解性有機物は,PBの形態学的位置制御機構の分光学的証拠を示す。【JST・京大機械翻訳】

Spectral Evidence of In-Situ Regulatory Mechanisms on ChemicalSpeciation of Lead/Cadmium Affected by Dissolved OrganicMatter Extracted from Rhizosphere Loess of CalendulaOfficinalis Seedling

著者 (3件)： Fan Chunhui (School of Environmental Science & Engineering, Shaanxi University of Science & Technology) ,  Xu Huihui (School of Environmental Science & Engineering, Shaanxi University of Science & Technology) ,  Zhang Yingchao (School of Environment, Tsinghua University)
資料名： Guangpuxue yu Guangpu Fenxi  (Guangpuxue yu Guangpu Fenxi)
巻： 36  号： 9  ページ： 2852-2857  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2093A  ISSN： 1000-0593  CODEN： GYGFED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 汚染土壌植物の修復過程において、植物根系は活性放出物を放出することによって、汚染ストレスに対して適応的に抵抗し、(間)は土壌のDOMの構造に影響を及ぼす。現在、植物修復の注目点は主に汚染物の吸収、輸送、蓄積と解毒行為に集中しており、根際圈の土壌DOMに対する検討はやや不足している。本研究では,黄土高原の黄土高原におけるPB 苗 苗実生を研究対象として,黄土高原の黄土高原におけるPBの形態学的特徴と成長状態を分析した。紫外可視スペクトル(UV),FOURIER変換赤外分光法(FTIR),および三次元蛍光スペクトル(3D-EEMS)を用いて,黄土のDOMの微視的特性を研究した。結果は以下を示す。黄土高原の黄土高原は,残差と交換可能態を主とし,花の成長周期が終わった後に交換可能態窒素の含有量が増加した。PBのストレスは金Zhan菊株高の発芽率と発芽率を阻害し,その成長周期は黄土の物理化学的性質を改善するのに役立つ。ストレスの下では,根の根元は細長い,曲げ,萎縮の徴候を示した。DOMの紫外スペクトルの最大吸収範囲は200~240NMに位置しているが、ストレス後のピークのピークはより尖、強度はより大きい。これらの結果は,PBのストレスがDOMの赤外吸収ピークを3ととCM(-1)から3と1CM(-1)に移動させ,重金属イオンがOHとC=Oの結合効果を有することを示した。DOM蛍光ピークはΛ_(EX/EM)=240/430付近(紫外蛍光ピーク蛍光ピーク)に集中し,PB蛍光は蛍光強度に大きな影響を及ぼすが,蛍光ピーク位置には影響しなかった。花 根際圈黄土のDOMは重要な生態学的環境情報を提供することができ、分光学的手段はある程度PBの形態との構造活性関係を明らかにすることができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 汚染土壌 ,  *モルフォロジー ,  ファイトレメディエーション ,  実生 ,  *可溶性 ,  生態学 ,  蛍光 ,  紫外スペクトル ,  *溶解性
準シソーラス用語： 蛍光強度 ,  重金属イオン ,  物理化学的性質 ,  発芽率 ,  紫外可視スペクトル ,  黄土高原 ,  *分光学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Dissolved organic matter ,  Rhizosphere ,  Loess ,  Lead/cadmium stress ,  Calendula officinalis

分類 (3件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  その他の汚染原因物質  (SB05040W) ,  土壌汚染  (FB04100T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 花 ,  黄土 ,  溶解性 ,  有機物 ,  Pb ,  形態学 ,  位置制御 ,  分光学 ,  証拠