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J-GLOBAL ID：201702287277359829   整理番号：17A0473315

結晶化に及ぼすNK端XANES分光法とその影響を用いた蒸着したままの非晶質窒素ドープGeTe系相変化合金におけるN Te結合の検出【Powered by NICT】

Detection of N-Te bonds in the as-deposited amorphous nitrogen-doped GeTe-based phase change alloys using N K-edge XANES spectroscopy and their impact on crystallization

著者 (10件)： Krbal M. (Faculty of Chemical Technology, Center of Materials and Nanotechnologies (CEMNAT), University of Pardubice, Legions Square 565, 530 02, Pardubice, Czechia) ,  Kolobov A.V. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Ibaraki, Japan) ,  Kolobov A.V. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), SPring-8, Mikazuki, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Fons P. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Ibaraki, Japan) ,  Fons P. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), SPring-8, Mikazuki, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Mitrofanov K.V. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Ibaraki, Japan) ,  Tamenori Y. (Japan Synchrotron Radiation Research Institute (JASRI), SPring-8, Mikazuki, Hyogo, 679-5198, Japan) ,  Hyot B. (Laboratoire de Technologies pour la Nanophotonique, DOPT, SIONA, CEA Leti-MINATEC, 17 rue des martyrs, F-38054, Grenoble Cedex 9, France) ,  Andre B. (Laboratoire de Technologies pour la Nanophotonique, DOPT, SIONA, CEA Leti-MINATEC, 17 rue des martyrs, F-38054, Grenoble Cedex 9, France) ,  Tominaga J. (Nanoelectronics Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 1-1-1 Higashi, Tsukuba, 305-8565, Ibaraki, Japan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704  ページ： 254-259  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NK端XANES研究を用いて,堆積したままの非晶質およびアニールしたNドープGeTe系相変化合金における窒素原子の周りの局所構造の顕著な違いを実証した。顕著な変化は,より高い光子エネルギーとXANESスペクトルの全体形状に吸収端における約2eVシフトとして現れた。第一原理XANESシミュレーションと堆積したままの非晶質相の実験的XANESスペクトルの比較は,堆積したままの相は主にほぼ等しい濃度のNGe_3とNTe_3ピラミッドユニットから構成されていることが分かった。アニールすると,NTe_3単位NGe_3単位にrebond徐々に同時にN原子は非晶質相を通って拡散するGe_N-凝集体を形成する。400°Cでの長期アニーリングによりGe_3N_4のコンパクトな中間層は結晶相で形成された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *合金 ,  *XANES ,  X線吸収分光法 ,  吸収端 ,  焼なまし ,  *非晶質 ,  第一原理 ,  *相転移 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 結晶相 ,  中間層 ,  光子エネルギー ,  局所構造 ,  *GeTe ,  *窒素ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： X線吸収分光法 ,  相変化メモリ ,  局所構造

分類 (4件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  非晶質金属の構造  (BK04020D) ,  圧粉,焼結  (WC02030X) ,  粉末製造  (WC02020M)

タイトルに関連する用語 (10件)： 結晶化 ,  XANES ,  分光法 ,  蒸着 ,  非晶質 ,  窒素ドープ ,  GeTe ,  相変化 ,  合金 ,  Te