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J-GLOBAL ID：201702287705148272   整理番号：17A0449171

プラズマ支援熱支援Se蒸気セレン化プロセスによるCu(In,Ga)Se2薄膜の成長と特性評価【Powered by NICT】

Growth and characterization of CIGS thin films by plasma-assisted and thermal-assisted Se vapor selenization process

著者 (6件)： Huang Yunxiang (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Tang Yong (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Yuan Wei (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Zhang Xiaoqing (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Wen Wanyu (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China) ,  Wang Qinghui (Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 701  ページ： 732-739  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,種々の基板加熱温度でプラズマ支援Se蒸気セレン化(PASVS)プロセスによるセレン化電着Cu/In/Ga積層層の材料成長を調べた。比較のために,熱支援Se蒸気セレン化(TASVS)プロセスについても試験した。試料を150°Cでセレン化したときPASVSプロセスは,Cu-In-Ga混合相の分解と,Cu-SeおよびIn-Se二元相の形成を促進するのを助けることができるPASVSプロセスの使用は,同じ温度で元素インジウム損失を悪化させる。結果もPASVSプロセスは250°Cでセレン化中のGa-Se相の初期形成を活性化するのに役立つことを示した。PASVSプロセスは350°Cで表面領域付近の特定CuGaSe_2相を有する多孔質表面構造を生成するセレン化温度の上昇と共に,PASVSプロセスによるセレン化した膜は,結晶粒構造への傾向があるが,TASVSの1例における多角形構造である。PASVSプロセスは550°Cの温度で中程度のGa取り込みを持つ純粋なCIGS相を得るためによりできた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶粒 ,  加熱温度 ,  *セレン ,  薄膜 ,  *ガリウム ,  電着 ,  多孔性 ,  表面構造 ,  *キャラクタリゼーション ,  *インジウム
準シソーラス用語： 混合相 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CIGS ,  プラズマセレン化 ,  結晶成長 ,  Microstructure

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (11件)： プラズマ ,  支援 ,  Se ,  蒸気 ,  セレン化 ,  プロセス ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  成長 ,  特性評価