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J-GLOBAL ID：201702288202543205   整理番号：17A0061050

600V/よるIGBTの優れた性能のメカニズム解析【JST・京大機械翻訳】

Mechanism Analysis of the 600V Trench IGBT With Improved Performance

著者 (8件)： Wu Yu (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Zhou Xuan (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Jin Rui (New Electrical Material & Microelectronics Institute, State Grid Smart Electrical Engineering) ,  Hu Dongqing (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Jia Yunpeng (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Tan Jian (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Zhao Bao (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Li Zhe (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology)
資料名： Beijing Gongye Daxue Xuebao  (Beijing Gongye Daxue Xuebao)
巻： 42  号： 9  ページ： 1313-1317  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2401A  ISSN： 0254-0037  CODEN： BGDXD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パワーゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に及ぼすよる構造の影響は,N-ドリフト領域のコンダクタンス変調ではなく,チャネル抵抗の改善ではない。シミュレーションツールツール TCADを用いて、600Vのの IGBTとPLANAR IGBTの2種類の構造の遮断特性、オンオフ特性とスイッチ特性などに対してシミュレーション分析を行った。2つの構造において,N-ドリフト領域とN-ドリフト領域におけるN-ドリフト領域の比率とN-ドリフト領域における過剰キャリアの数を研究した。結果は以下を示す。2種類の構造のチャネルの圧力降下は占める割合が小さく、差が少なく、よる構造のN-ドリフト領域内のキャリアの数はより構造であり、コンダクタンスの変調効果はもっと良く、即ちよるの構造は主にN-ドリフト区のコンダクタンス変調の改善である。同時に,2つのIGBT構造のE_(OFF)-V_(CE)(ON)曲線を研究し,それにより,よるIGBTが,より低いターンオフとターンオフ損失を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  ターンオフ ,  過剰キャリア ,  ドリフト ,  圧力損失 ,  コンダクタンス ,  *IGBT ,  キャリア ,  チャネル
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  遮断 ,  TCAD ,  機構解析 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： insulate gate bipolar transistor (IGBT) ,  trench ,  planar ,  on-state voltage drop ,  low switch loss

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： IGBT ,  メカニズム解析