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J-GLOBAL ID：201702288281987758   整理番号：17A0703286

超臨界流体窒化を用いた透明ITO電極を用いた抵抗スイッチングメモリの性能のブースティング【Powered by NICT】

Boosting the performance of resistive switching memory with a transparent ITO electrode using supercritical fluid nitridation

著者 (8件)： Ye Cong (Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Jilin University Region, Wuhan 430062, China) ,  Wu Jia-Ji ,  Pan Chih-Hung ,  Tsai Tsung-Ming ,  Chang Kuan-Chang ,  Wu Huaqiang ,  Deng Ning ,  Qian He
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 19  ページ： 11585-11590  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温超臨界流体窒化(SCF窒化)法を用いて,酸化ハフニウム抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の性能を高めるためにインジウム-すず-酸化物(ITO)電極への窒素をドープした。SCF窒化処理後,ITO電極デバイスのメモリウインドウは40年から100年まで増加した。さらに,動作電圧(V_SETとV_RESET)と電流(I_ONとI_OFF)は著しく減少したが,これのI_OFFは65nAに減少した。SCF窒化処理により誘起されたITO透明電極を用いた抵抗スイッチングメモリの性能改善のための可能な理由を注意深く検討した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *超臨界流体 ,  窒素 ,  透明電極 ,  インジウム ,  *窒化 ,  ドーピング ,  低温 ,  スズ ,  酸化ハフニウム
準シソーラス用語： 性能改善 ,  ReRAM ,  *ブースティング ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *ITO電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 超臨界流体 ,  窒化 ,  ITO電極 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  ブースティング