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J-GLOBAL ID：201702288298268271   整理番号：17A0403417

太陽光吸収体のためのCu_2FeSnS_4薄膜の低コスト酸化物ベース堆積【Powered by NICT】

Low cost oxide-based deposition of Cu₂FeSnS₄ thin films for photovoltaic absorbers

著者 (16件)： Chen Guilin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Chen Guilin (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Li Jianmin (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Chen Shuiyuan (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Huang Zhigao (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Wu Miaoju (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Wu Miaoju (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Zhao Jifu (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Zhao Jifu (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Wang Weihuang (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Wang Weihuang (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Lin Haiqin (Fujian Provincial Key Laboratory of Quantum Manipulation and New Energy Materials, College of Physics and Energy, Fujian Normal University, Fuzhou 350007, China) ,  Lin Haiqin (Fujian Provincial Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Xiamen 361005, China) ,  Zhu Changfei (CAS Key Laboratory of Materials for Energy Conversion, Department of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 188  ページ： 95-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,簡単で新しい酸化物ナノ粒子ベースプロセスはCu_2FeSnS_4(CITS)薄膜を調製した。最初に,低コストで自然界に豊富な酸化物(例えばCuO,Fe_2O_3とSnO_2)をガラス基板上に被覆した。第二に,CITS薄膜を低毒性硫黄雰囲気中で酸化物前駆体の硫化により成長させた。硫化中の相変態を調べるために,異なるアニーリング温度を用いた。中間相Cu_3SnS_4とCu_2Sn_3S_7はCITS成長中に存在することを見出した。最後に,硫化温度が580°Cに上昇すると大きな結晶粒をもつ相純粋なCITS膜が得られた。CITS薄膜の明らかな光電応答はdisplaid,1種類の低コスト太陽光吸収体材料としての応用の可能性を示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *吸収体 ,  中間相 ,  ナノ粒子 ,  前駆体 ,  *薄膜 ,  結晶粒 ,  酸化第二銅 ,  硫化 ,  *酸化物 ,  *太陽光 ,  アニーリング温度 ,  低毒性 ,  ガラス基板
準シソーラス用語： 光電気 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Chalcogenides ,  薄膜 ,  アニーリング ,  Semiconductors

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽光 ,  吸収体 ,  薄膜 ,  酸化物 ,  堆積