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J-GLOBAL ID：201702288398475858   整理番号：17A0013964

ゾル-ゲル法によるLa_2/3Cu₃Ti₄O₁₂セラミックスの構造,誘電特性及びインピーダンス分光法

Structure, dielectric property and impedance spectroscopy of La2/3Cu3Ti4O12 ceramics by sol-gel method

著者 (4件)： Liu Zhanqing (College of Chemistry and Environment, Weinan Normal University, Weinan, Shaanxi, People’s Republic of China) ,  Liu Zhanqing (Key Laboratory of Macromolecular Science of Shaanxi Province, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an, Shaanxi, People’s Republic of China) ,  Yang Zupei (Key Laboratory of Macromolecular Science of Shaanxi Province, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an, Shaanxi, People’s Republic of China) ,  Chao Xiaolian (Key Laboratory of Macromolecular Science of Shaanxi Province, School of Materials Science and Engineering, Shaanxi Normal University, Xi’an, Shaanxi, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 9  ページ： 8980-8990  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル法によって,La_2/3Cu₃Ti₄O₁₂(LCTO)前駆体粉末を合成した。LCTO粉末またはセラミックスの微細構造及び誘電特性に及ぼすゾル条件及び焼結プロセスの影響を系統的に調べた。前駆体粉末合成のための最適なゾル条件は以下の通りであった:即ち,1.00モル/LのTi⁴⁺濃度,5.6:1の水:チタンモル比及び1.0のゾルpHであった。1105°Cで15時間の焼結後,LCTOセラミックスは,より均一な微細構造,非常に高い誘電率(約0.9-1.6×10⁴)及びより低い誘電損失(約0.057)を示した。LCTOセラミックスのより高い誘電率は,内部障壁層キャパシタ効果に起因する可能性がある。LCTOセラミックスは,複素インピーダンス解析から粒子境界伝導率における2種類の導電性活性化エネルギーを示した。2つの活性化エネルギー値の遷移温度は,170°Cと210°Cとの間にあった。170-210°Cの温度範囲は,誘電率,誘電損失及び活性化エネルギーの重要な擬臨界領域であった。その上,粒子境界は電気特性に重要な役割を果たすと結論づけた。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *セラミック ,  *構造特性 ,  *誘電性 ,  電気化学インピーダンス ,  ゾル-ゲル法 ,  チタン酸塩 ,  ランタン化合物 ,  銅化合物 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  温度依存性 ,  前駆体 ,  pH【水素イオン指数】 ,  焼結 ,  微細構造 ,  活性化エネルギー

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ゾル-ゲル法 ,  セラミックス ,  誘電特性 ,  インピーダンス分光法