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J-GLOBAL ID：201702288538584563   整理番号：17A0115752

改善された利得と低消費電力のための自己バイアスを用いた超広帯域低雑音増幅器【Powered by NICT】

Ultra wide band low noise amplifier with self-bias for improved gain and reduced power dissipation

著者 (2件)： Singh Vivek (Department of ECE, Thapar University, Patiala, India) ,  Rattan Munish (Department of ECE, GNDEC, Ludhiana, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICCCA  ページ： 1494-1498  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,CMOS技術に基づいた1.9~8.2GHz周波数帯のための三段階を用いた超広帯域低雑音増幅器(LNA)を提案した。このLNAでは,第一段階は,より高い利得を達成するために電流再利用トポロジーに設計されているが,第二段階では,自己バイアス状態における相補的プッシュプル構成,高利得と低雑音寄与を提供する,第三段階は共通ソース段階である。本論文では,二つの異なる設計を提案した。これらの設計は,パラメータの異なるセット,は,二種類のカテゴリーの応用に適しているを最適化した。単一電源を用いた最初の設計であり,平均雑音指数1.41dBの21dBの利得を達成することができた。3~次インターセプトポイント(IIP3)と1dB圧縮点はそれぞれ6dBmと 17dBmである。が第二の設計は,電力消費の減少を達成し,入出力インピーダンスマッチングを増強した。第二の設計の電力消費は4.1mWであった。両超広帯域低雑音増幅器(UWBLNA)は,TMSC130nm CMOS技術を用いて設計しシミュレートした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  インピーダンス整合 ,  雑音指数 ,  周波数帯 ,  *低雑音増幅器 ,  電力消費 ,  *利得 ,  CMOS
準シソーラス用語： IIP3 ,  *低雑音 ,  電流再利用 ,  CMOS技術 ,  *超広帯域 ,  *自己バイアス ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 利得 ,  低消費電力 ,  自己バイアス ,  広帯域 ,  低雑音増幅器