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J-GLOBAL ID：201702288920935138   整理番号：17A0102497

導波路表面に及ぼすシリコン水素結合の影響に関する理論的シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Theoretical simulation of the effect of silicon hydrogen bond on waveguide surface smoothing

著者 (7件)： Duan Qianqian (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Tang Haiquan (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Ren Xinyu (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Jian Aoqun (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Wei Chongguang (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Sang Shengbo (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education) ,  Zhang Wendong (Micronano System Research Center, College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, Key Laboratory of Advanced Transducers and Intelligent Control System, Shanxi Province and Ministry of Education)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 45  号： 8  ページ： 0816001_01-0816001_05  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低損失の高いQ値は,高感度検出器,バイオセンサ,光通信デバイスなどの開発のための鍵である。しかし,導波路の表面粗さは,大きな光伝搬損失をもたらし,それは,硅基納のQ値の増加を制限する重要な因子である。硅基納の表面粗さを減少させることは,薄膜の開発における重要課題の一つであり,水素アニーリング技術は,導波路の表面粗さを改善するためのキー技術である。表面ヒドロシリルの密度理論に基づき,水素化アニーリングの間のケイ素と水素の間の反応を,MATERIALS STUDIOソフトウェアを用いてシミュレーションし,反応の遷移状態を調査し,反応に及ぼすケイ素水素結合と温度の影響を研究した。結果は以下を示す。水素原子の水素原子と水素原子の間の水素結合の形成は,水素のアニーリング雰囲気の下で起こり,温度が高ければ高いほど,SI原子の移動速度はより速くなり,表面はスムージングから低エネルギー状態に移行し,表面の平滑化効果はより明白であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バイオセンサ ,  *ケイ素 ,  平滑化 ,  *水素 ,  Q値 ,  遷移状態 ,  *水素結合 ,  焼なまし ,  高感度 ,  水素化 ,  *導波路
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  移動速度 ,  水素原子 ,  伝搬損失 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： waveguide ,  silicon hydrogen bond ,  smoothing

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 導波路 ,  シリコン ,  水素結合 ,  理論 ,  シミュレーション