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J-GLOBAL ID:201702288921713956   整理番号:17A0475844

高性能高分子半導体のための環境に優しい製造プロセス【Powered by NICT】

Environmentally benign fabrication processes for high-performance polymeric semiconductors
著者 (3件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 2745-2757  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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他の高分子工業と同様に,高分子半導体産業は有害な溶媒の放出に及ぼす環境に優しいプロセスと規制が必要なために,圧力下にある。しかし,高分子半導体の場合には,アルキル鎖の自己組織化特性は最終的な素子の性能を決定するためのハロゲン化溶媒(または少なくとも芳香族溶媒)の使用は必須であると考えられてきた;が,これらの溶媒は環境に有害である。本レビューでは,高い半導体性能を犠牲にすることなく,毒性有機溶媒の使用を回避する研究努力は:まとめ(1)非ハロゲン化溶媒,(2)極性溶媒,および(3)水性媒体。より具体的には,環境に優しい溶媒中の高分子半導体の安定溶解または分散を達成するための方法論を紹介した新しい骨格構造をもつ重合新しい側鎖構造をもつ重合,および様々なミニエマルションベースナノ粒子製造法。本レビューでは,有機半導体の環境に優しいプロセスに関する最新の情報を提供することにより,有機半導体の分野におけるエコfriendly/high性能過程を可能にする新技術の開発に寄与することを目的としている。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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トランジスタ 
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