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J-GLOBAL ID：201702289082918501   整理番号：17A0522156

高温での垂直磁化された(Ga,Mn)As膜における電場支援磁化スイッチング

Electric-field assisted switching of magnetization in perpendicularly magnetized (Ga,Mn)As films at high temperatures

著者 (5件)： WANG Hailong (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MA Jialin (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YU Xueze (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  YU Zhifeng (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHAO Jianhua (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 2  ページ： 025003,1-5  発行年： 2017年01月18日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性半導体は,ゲート制御論理素子と不揮発性記憶素子の機能を同時に実現できる可能性を持つ興味深い物質である。なかでも,Mnを含むIII-V族希薄磁性半導体が最も良く調べられている。本論文では,垂直磁化された(Ga,Mn)As膜における磁化スイッチングに与える電場の影響について報告する。Al₂O₃のゲート絶縁層に高電場を加えると,(Ga,Mn)As膜の抗磁力,飽和磁化,磁気異方性,Curie温度が変化することがわかった。また,120Kにおいて電場支援磁化スイッチングが観測された。これらの観測事実を説明するために,正孔密度がゲート電場により変調される機構を提案した。

シソーラス用語： *垂直磁化 ,  電場 ,  *スイッチング ,  強磁性半導体 ,  磁性半導体 ,  保磁力 ,  飽和磁化 ,  磁気異方性 ,  Curie温度 ,  *遷移金属化合物 ,  *ヒ化物 ,  効果
準シソーラス用語： *磁化スイッチング ,  希薄磁性半導体 ,  抗磁力 ,  遮蔽効果

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直磁化 ,  Ga ,  Mn ,  電場 ,  支援 ,  磁化スイッチング