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J-GLOBAL ID：201702289315483155   整理番号：17A0204184

(Al)GaInP太陽電池のV(OC)を改善するための裏面電界の最適化【Powered by NICT】

Optimizing back surface field for improving V_(oc) of (Al)GaInP solar cell

著者 (6件)： Lu Hongbo (Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Li Xinyi (Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Zhang Wei (Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Zhou Dayong (Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Sun Lijie (Shanghai Institute of Space Power-Source) ,  Chen Kaijian (Shanghai Institute of Space Power-Source)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 10  ページ： 104004-1-104004-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInPとAlGaInP太陽電池は有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させた,理論的解析は,ヘテロ界面再結合速度がセル性能,特に基底層と裏面電界(BSF)の間の界面の最適化に重要な役割を果たすことを示した。格子整合成長と擬B SFを含む測定は,BSF設計を最適化した。GaInPとAlGaInP太陽電池中のV(Voc)の有意な改善は,た対策が有効であると次世代の性能改善のための有望な高効率太陽電池ことを意味している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 基底 ,  MOCVD ,  界面 ,  *電場 ,  格子整合 ,  *最適化 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 高効率 ,  再結合速度 ,  ヘテロ界面 ,  リン化アルミニウムガリウムインジウム ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 裏面場 ,  GaInP太陽電池 ,  MOCVD

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  GaInP ,  太陽電池 ,  電界 ,  最適化