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J-GLOBAL ID：201702289338640558   整理番号：17A0475374

ボトムコンタクト構造ペンタセン薄膜トランジスタのための2段階表面改質【Powered by NICT】

Two-step surface modification for bottom-contact structured pentacene thin-film transistors

著者 (6件)： Wang Sihan (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi 16419, South Korea) ,  Kim Jin-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi 16419, South Korea) ,  Park Eung-Kyu (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi 16419, South Korea) ,  Oh Jongsu (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi 16419, South Korea) ,  Park KeeChan (Department of Electronic Engineering, Konkuk University, Seoul 143-701, South Korea) ,  Kim Yong-Sang (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Gyeonggi 16419, South Korea)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 43  ページ： 21-26  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボトムコンタクト構造のペンタセン薄膜トランジスタ(TFT)中の金ソース/ドレイン電極上のヘキサメチルジシラザン(HMDS),ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)とL-システインの表面処理効果を調べた。処理法はスピンコーティングと浸漬を含んでいる。も各処理法の組合せに基づく二段階処理を検討している。最高のデバイス性能は,その後のL-システイン最初とPEDOT:PSSと金S/D電極を処理することにより達成され,電界効果移動度を示す0.35cmまで~/対L-システインは金属と半導体層の間の接触抵抗を減らすことができ,PEDOT:PSSは正孔輸送層として作用し,HMDSは表面エネルギー,上のペンタセンの結晶粒サイズを急速に増大,膨隆を減少させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  高速度 ,  *薄膜トランジスタ ,  表面エネルギー ,  スピンコーティング ,  *表面改質 ,  結晶粒径 ,  浸漬 ,  接触抵抗 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 正孔輸送層 ,  電界効果移動度 ,  PEDOT:PSS ,  *ボトムコンタクト , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 2段階表面処理 ,  ボトムコンタクト ,  有機薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： ボトムコンタクト ,  ペンタセン ,  薄膜トランジスタ ,  段階 ,  表面改質