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J-GLOBAL ID：201702289519371676   整理番号：17A0361952

Cd_0 96Zn_0 0.04Te単結晶の光学的および電気的特性に及ぼす塑性変形の影響【Powered by NICT】

Effect of plastic deformation on the optical and electrical properties in Cd_0.96Zn_0.04Te single crystals

著者 (7件)： Lmai F. (LPTA, Faculte des Sciences Aien Chock, Universite Hassan II de Casablanca, Morocco) ,  Lmai F. (Institut d’Electronique du Solide et des Systemes, 23 Rue du Loess, BP 20 CR, F-67073 Strasbourg Cedex 2, France) ,  Moubah R. (LPMMAT, Faculte des Sciences Aien Chock, Universite Hassan II de Casablanca, Morocco) ,  Amiri A.El. (LPMMAT, Faculte des Sciences Aien Chock, Universite Hassan II de Casablanca, Morocco) ,  Boudali A. (Laboratory of Physico-chemical Studies, University of Saida, Saida, Algeria) ,  Hlil E.K. (Institut Neel, CNRS et Universite Joseph Fourier, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex 9, France) ,  Lassri H. (LPMMAT, Faculte des Sciences Aien Chock, Universite Hassan II de Casablanca, Morocco)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 100  ページ： 45-48  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： UV-可視,光ルミネセンス,電気的測定とab initio計算を用いて,Cd_0 0.96Zn_0 0.04Te結晶の光学的および電気的特性に及ぼす導入された転位の効果を調べた。転位を生成するために,Cd(111)とTe(1 1 1 )面に及ぼす塑性変形が誘導された。は,塑性変形が生じることを示している:1)変形領域中のZn濃度の減少,Cd面上の高い,ii)バンドギャップエネルギーの減少,iii)アクセプタ濃度の増加,及びiv)Te面上の高い漏れ電流。障壁高さの計算は,主要な欠陥,複雑なCd空格子点,Cd面上のアクセプタ中心[V_Cd,Cd及びTe側にV,Teであることを見いだした。フルポテンシャル線形増強平面波(FPLAPW)法に基づく電子構造計算も行った,変形に光学バンドギャップエネルギー減少は,変形領域中のZn含有量の減少によって理解することができることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  *電気的性質 ,  光学ギャップ ,  アクセプタ ,  *塑性変形 ,  *カドミウム ,  不純物 ,  *テルル ,  光ルミネセンス ,  *亜鉛 ,  *単結晶
準シソーラス用語： 電子構造計算 ,  障壁高さ ,  バンドギャップエネルギー ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 不純物と欠陥準位 ,  II-VI族半導体 ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  構造電子計算

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 単結晶 ,  光学 ,  電気的特性 ,  塑性変形