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J-GLOBAL ID：201702289674738942   整理番号：17A0697158

GaAs(111)B上のMnAs/InAsハイブリッド構造の成長と磁気的性質【Powered by NICT】

Growth and magnetic properties of MnAs/InAs hybrid structure on GaAs(111)B

著者 (2件)： Islam Md. Earul (Center for Nano Materials and Technology (CNMT), Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan) ,  Akabori Masashi (Center for Nano Materials and Technology (CNMT), Japan Advanced Institute of Science and Technology (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 86-89  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン電界効果トランジスタ(スピンFET)応用のためのGaAs(111)B上のMnAs/InAsハイブリッド構造の分子ビームエピタキシャル(MBE)成長を行った。をX線回折(XRD)測定によるGaAs(111)Bの六方晶系MnAsと立方晶InAsエピタキシャル層の良好な整列を観察した。原子間力顕微鏡(A FM)によるMnAs/InAsの滑らかな表面形態を観測し,磁気力顕微鏡(MFM)による迷路状磁気構造を観察した。超伝導量子干渉素子(SQUID)磁力計を用いてMnAs/GaAs(111)Bと同様容易及び困難磁化面内および面外方向を観察した。GaAs(111)B上のMnAs/InAsハイブリッド構造は,スピンFETの基本構造であると考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  SQUID ,  X線回折 ,  *ヒ化ガリウム ,  MBE成長 ,  磁力計 ,  六方晶系 ,  *ヒ化インジウム ,  磁気力顕微鏡 ,  磁化 ,  *複合構造 ,  磁気構造 ,  エピタクシー
準シソーラス用語： 表面形態 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A3分子ビームエピタクシー(MBE) ,  B2MnAs InAs GaAs(111)B ,  A1X線回折(XRD) ,  A1原子間力顕微鏡(A FM) ,  A1磁気力顕微鏡(MFM) ,  A1超伝導量子干渉素子(SQUID)磁力計

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  InAs ,  ハイブリッド構造 ,  成長 ,  磁気的性質