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J-GLOBAL ID：201702289767494735   整理番号：17A0322859

潜在的Seebeckマイクロプローブ(PSM)による熱電膜の熱起電力測定に及ぼす膜厚および基板の影響【Powered by NICT】

Impact of the film thickness and substrate on the thermopower measurement of thermoelectric films by the potential-Seebeck microprobe (PSM)

著者 (12件)： Zhou Aijun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Wang Weihang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Yao Xu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Yang Bin (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Li Jingze (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Zhao Qiang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Wang Chao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) ,  Xu Dongyan (Department of Mechanical and Automation Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, New Territories, Hong Kong Special Administrative Region) ,  Xu Dongyan (Shenzhen Research Institute, The Chinese University of Hong Kong, Shenzhen 518057, China) ,  Ziolkowski Pawel (Institute of Materials Research, German Aerospace Center (DLR), D-51147 Cologne, Germany) ,  Mueller Eckhard (Institute of Materials Research, German Aerospace Center (DLR), D-51147 Cologne, Germany) ,  Mueller Eckhard (Institute for Inorganic and Analytical Chemistry, Justus Liebig University Giessen, Heinrich-Buff-Ring 58, D-35392 Giessen, Germany)
資料名： Applied Thermal Engineering  (Applied Thermal Engineering)
巻： 107  ページ： 552-559  発行年： 2016年 
JST資料番号： E0667B  ISSN： 1359-4311  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱起電力は,熱電(TE)材料のための重要なパラメータである。バルク材料と比較して,TE膜の熱起電力の定量は,特に電気的に導電性基板上に成長させたものの課題である。本研究では,ユニークなポテンシャルSeebeckマイクロプローブ(PSM)によるTE膜の基板上熱起電力測定の実現可能性を実証した。測定精度に及ぼす膜厚および基板の影響を明らかにするために,熱起電力測定は,Au被覆Siと石英基板上に作製した種々の厚さの電気めっきBi_2Te_3膜について実施した。厚さ12μmよりも小さい場合Si/Au基板上に成長させたBi_2Te_3膜で測定した熱起電力(S)は実際の値から著しく逸脱する傾向があることが分かった。12μm以上では,厚さ依存性は観察されず,信頼性のあるS mはBi_2Te_3膜を得ることができた。quartz/Au基板上に結果は,S mで同じ厚さ依存性を示したが,得られた値はSi/Au基板上に得られたものよりはるかに低かった。有限要素法(FEM)シミュレーションを測定不一致と同様に試料中の詳細な温度およびポテンシャルプロフィルを調べることにより熱電能測定に及ぼす膜厚および基板の影響を解釈した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポテンシャル ,  ケイ素 ,  *熱起電力 ,  信頼性 ,  測定精度 ,  *膜厚 ,  有限要素法 ,  金 ,  電気めっき ,  導電性 ,  被覆 ,  *マイクロプローブ
準シソーラス用語： 熱電能 ,  厚み依存性 ,  石英基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 熱起電力 ,  熱電膜 ,  潜在的Seebeckマイクロプローブ ,  FEMシミュレーション ,  基板 ,  膜厚

分類 (1件)： 相変化を伴う熱伝達  (PA02040V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロプローブ ,  PSM ,  熱起電力 ,  膜厚