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J-GLOBAL ID：201702289934493268   整理番号：17A0352468

Si上の水平Geリッジ導波路からの室温直接バンドギャップエレクトロルミネセンス【Powered by NICT】

Room temperature direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge ridge waveguide on Si

著者 (3件)： He Chao (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Zhi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Cheng Buwen (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 126104-1-126104-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空化学気相堆積(UHV CVD)により成長させた横方向Ge-on-Siリッジ導波路発光ダイオード(LED)を報告した。連続電流下のGe導波路の直接バンドギャップエレクトロルミネセンス(EL)を室温で観測した。エッジ出力光パワーの熱増強ルミネセンスと熱放射線誘起超線形増加を見出した。一般化Planck放射則に基づく自然放出と熱放射を計算し,実験結果と非常に良く一致した。長さの異なるGe導波路を研究し,短い方はより強いEL強度を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *導波路 ,  *リッジ導波管 ,  化学蒸着 ,  *ルミネセンス ,  *エレクトロルミネセンス ,  自然放出 ,  発光ダイオード ,  熱放射 ,  電流 ,  *ゲルマニウム ,  線形性 ,  超高真空
準シソーラス用語： *直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ge/Si ,  導波路 ,  エレクトロルミネセンス ,  熱放射

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Ge ,  リッジ導波路 ,  室温 ,  直接バンドギャップ ,  エレクトロルミネセンス