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J-GLOBAL ID：201702290041860030   整理番号：17A0214143

移動新たな,モノのインターネット,およびRF応用のための22nm FDSOI技術【Powered by NICT】

22nm FDSOI technology for emerging mobile, Internet-of-Things, and RF applications

著者 (39件)： Carter R. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Mazurier J. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Pirro L. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Sachse J-U. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Baars P. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Faul J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Grass C. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Grasshoff G. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Javorka P. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Kammler T. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Preusse A. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Nielsen S. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Heller T. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Schmidt J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Niebojewski H. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Chou P-Y. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Smith E. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Erben E. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Metze C. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Bao C. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Andee Y. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Aydin I. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Morvan S. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bernard J. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Bourjot E. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Feudel T. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Harame D. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Nelluri R. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Thees H.-J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  M-Meskamp L. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Kluth J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Mulfinger R. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Rashed M. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Taylor R. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Weintraub C. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Hoentschel J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Vinet M. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France) ,  Schaeffer J. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany) ,  Rice B. (GLOBALFOUNDRIES Fab1 LLC & Co. KG, Wilschdorfer Landstrasse 101, 01109 Dresden, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 2.2.1-2.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 22FDXTMは,新しく起こりつつある移動可能な,モノのインターネット(IoT),およびRF応用の要件を満たすために業界初のFDSOI技術構成である。このプラットフォームは約30%少ないマスクを実装することができる費用対効果が高く,平面デバイス構造で1614nm FinFET技術の電力と性能効率を達成した。性能は,第二世代FDSOIトランジスタ,0.8Vと100nA/μm Ioffで910μΑ/μm(856μΑ/μm)のnFET(pFET)駆動電流を生成するからである。超低電力応用のために,電力と性能をトレードオフ積極的に8T論理図書館のための0.4V V_minだけでなく,高密度及び高電流ビットセルのための0.62Vと0.52V V_min,1pA/μm I_offに接近する超低漏れデバイス,ボディバイアスまで低電圧動作を提供する。FinFETより優れているRF/アナログ特性はnFETとpFETの375GHz/290GHzと260GHz/250GHzの高いf_T/f_MAxを含む,それぞれ達成された。高f_MAxは5gとmm波(>24GHz)RF応用する能力を拡張した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力 ,  トレードオフ ,  トランジスタ ,  素子構造 ,  アナログ系 ,  電流
準シソーラス用語： 低電圧 ,  基板バイアス ,  高密度 ,  超低消費電力 ,  駆動電流 ,  FinFET ,  費用対効果 ,  *モノのインターネット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (4件)： インターネット ,  RF ,  応用 ,  FDSOI