文献
J-GLOBAL ID:201702290074196947   整理番号:17A0124796

ウエハレベルでの酸化イリジウム神経電極の作製【Powered by NICT】

Fabrication of iridium oxide neural electrodes at the wafer level
著者 (13件):
資料名:
巻: 59  号:ページ: 1399-1406  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2578A  ISSN: 1674-7321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
電着,電気的活性化,熱酸化,および反応性イオンスパッタリングは,酸化イリジウム膜を作製するための四つの主要な方法である。これらの方法の中で,反応性イオンスパッタリングは,標準的な微細加工プロセスで一般的に使用される方法である。異なるスパッタリング条件では,酸化イリジウムの成分,組織,および電気化学特性はかなり変化した。神経電極のウエハレベル処理と互換性のある酸化イリジウム膜を作製するために,酸化イリジウム膜の品質は後処理の機械的および化学的衝撃に耐え,同時に神経電極として良好な性能を達成することができなければならない。本研究では,スパッタリングのパラメータを研究し,電極上に酸化イリジウム膜の機械的安定性と良好な電気化学的特性の間のバランスを達成するために開発した。シリコン電極の製作フローと結合したイリジウム酸化物作製プロセス,ウエハレベルでは,シリコンベースプレーナ酸化イリジウム神経電極を製造するために導入した。裸金電極と比較して,この方法を用いて作製した酸化イリジウム電極は良好な電気化学的安定性,1kHzで386の低インピーダンス,3.2mC/cm~2の高い安全な電荷貯蔵容量,および25%以下の変動の良好なインピーダンス整合性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分析機器  ,  電気化学反応 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る