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J-GLOBAL ID:201702290574758572   整理番号:17A0058317

高感度深UV光検出器応用のためのグラフェン-β-Ga2O3ヘテロ接合

Graphene-β-Ga2O3 Heterojunction for Highly Sensitive Deep UV Photodetector Application
著者 (7件):
資料名:
巻: 28  号: 48  ページ: 10725-10731  発行年: 2016年12月28日 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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ベータ酸化ガリウム(β-Ga2O3)ウェハ上に多層グラフェンを塗工して,深UV光検出器を組み立てた。光電子分析から,このヘテロ接合素子は,280nmより長波長の光照射には実質的に盲目であったが,254nm光には,非常に良好な安定性と再現性のある高感度を示すことが明らかになった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
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測光と光検出器一般  ,  酸化物の結晶成長  ,  炭素とその化合物  ,  光伝導,光起電力 

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