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J-GLOBAL ID：201702290598730850   整理番号：17A0365850

Si上に成長させたCaBi_2Nb_2O_9薄膜の電気機械的性質の強化【Powered by NICT】

Enhancing electromechanical properties of CaBi₂Nb₂O₉ thin films grown on Si

著者 (9件)： Zhang Yunxiang (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Wang Chun-Ming (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, Shandong, 250100 China) ,  Li Yao (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Cheng Hongbo (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Liu Menglin (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Xue Caihong (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Xu Huiwen (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Ouyang Jun (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), School of Materials Science and Engineering, Shandong University, Jinan, 250061; Suzhou Institute of Shandong University, Suzhou, 215123 China) ,  Ouyang Jun (National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, Maryland, 20899 United States)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 15  ページ： 17928-17931  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,強誘電CaBi_2Nb_2O_9薄膜を高周波マグネトロンスパッタリングによりイットリア安定化ジルコニア(YSZ)バッファ層を持つ(100)Si基板上に成長させた。X線回折分析は,CaBi_2Nb_2O_9膜は(200/020)組織化していることを示したが,は弱く分極する一般的に観測された(00l)結晶粒を除去した。強化された誘電体(533 @ 5kHz)と強誘電性(P_ 13μC/cm~2,P_~55μC/cm~2@1kHz)は,この高Tc圧電材料で達成され,D_圧電係数(~15 20pm/Vから~30pm/v)の顕著な改善をもたらした。本研究で用いた歪工学の方法は,Si製マイクロエレクトロニクスへの他のBi層状構造強誘電体の統合に適用することができる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロエレクトロニクス ,  マグネトロンスパッタリング ,  強誘電性 ,  *ビスマス ,  X線回折分析 ,  圧電材料 ,  バッファ層 ,  層状組織 ,  結晶粒 ,  強誘電体 ,  誘電体
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  シリコンウエハ ,  YSZ【セラミック】 ,  RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  YSZ緩衝層を持つSi ,  電気的性質 ,  歪工学 ,  ビスマス層状構造強誘電体

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  成長 ,  薄膜 ,  機械的性質 ,  強化