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J-GLOBAL ID：201702290960999483   整理番号：17A0174117

四元HEUSLER合金の空孔と空孔欠陥効果を調べた。【JST・京大機械翻訳】

Effect of Vacancy and Antisite Defects in Quaternary Heusler Alloys CoFeTiSb

著者 (6件)： Zhou Tingyan (School of Physics and Mechanical & Electronic Engineering, Zunyi Normal College) ,  Huang Haishen (School of Physics and Mechanical & Electronic Engineering, Zunyi Normal College) ,  Wu Bo (School of Physics and Mechanical & Electronic Engineering, Zunyi Normal College) ,  Yang Xiude (School of Physics and Mechanical & Electronic Engineering, Zunyi Normal College) ,  Li Ping (School of Physics and Mechanical & Electronic Engineering, Zunyi Normal College) ,  Feng Yu (School of Physical Science and Technology,Southwest University)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 30  号： 8B  ページ： 105-108,114  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論を用いて,四元HEUSLER合金の電子構造に及ぼす空孔とアンチサイト欠陥の影響を研究した。その結果,V_(CO),V_(FE)空孔欠陥およびTI_(SB)アンチサイト欠陥は負のエネルギーを持ち,85%以上のスピン分極率を保持し,COFETISB合金の工業的調製において自発的形成確率が大きいことを示した。VD_(TI),VD_(SB)空孔欠陥およびFE_(CO)アンチサイト欠陥は,FERMI準位が100%であり,半金属性を保持しているが,正の形成は,調製過程におけるそれらの確率が小さいことを示している。さらに,SB_(CO),SB_(FE),SB_(TI),CO_(TI),FE_(TI)のアンチサイト欠陥は,大きな形成エネルギーと半金属性破壊のため,スピン分極の程度を減少させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 密度汎関数法 ,  半金属 ,  電子構造 ,  *合金 ,  スピン分極
準シソーラス用語： 形成エネルギー ,  アンチサイト欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Heusler alloy ,  vacancy defects ,  antisite defects

分類 (4件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (3件)： Heusler合金 ,  空孔 ,  空孔欠陥