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J-GLOBAL ID：201702291003611978   整理番号：17A0014009

Ge(100)基板上のGeSn/Ge多重量子井戸のキャラクタリゼーションと熱安定性

Characterization and thermal stability of GeSn/Ge multi-quantum wells on Ge (100) substrates

著者 (7件)： Zhang Xu (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Zhi (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  He Chao (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Cheng Buwen (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xue Chunlai (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Chuanbo (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Qiming (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 9  ページ： 9341-9345  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシによって,高品質,高Sn含有量のGeSn/Ge多重量子井戸(MQW)構造をGe(100)基板上に成長した。MQW中のGeSn層のSn含有量は7.85%であった。高結晶品質及び平滑な界面が,高分解能X線回折(HRXRD)及び透過型電子顕微鏡(TEM)によって観察された。明確な多段衛星ピークをHRXRD結果の中で同定し,それは,シミュレーションで得られたものと一致した。TEM像には,貫通転位または格子不整合転位は観察されなかった。室温フォトルミネセンスから,量子閉込め効果による2025nm付近における直接遷移の強い発光ピークがあることが分った。急速熱アニーリングも行い,MQW構造は400°Cで30秒間アニーリングしても安定であることが示唆された。温度が上昇すると,GeSnとGe層の相互混合が増加し,構造は600°Cで完全に劣化した。この結果は,GeSnデバイスプロセスのための貴重な参考になる。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  *キャラクタリゼーション ,  *熱安定性 ,  ゲルマニウム合金 ,  スズ合金 ,  MBE成長 ,  素子構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  制限視野回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  光ルミネセンス ,  X線回折 ,  計算機シミュレーション ,  量子閉込め ,  アニーリング【現象】
準シソーラス用語： 分子線エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  多重量子井戸 ,  キャラクタリゼーション ,  熱安定性