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J-GLOBAL ID：201702291034948771   整理番号：17A0731000

GE薄膜のエピタキシャル成長に及ぼすSI_(1-X)GE_X:Cバッファ層の成長温度の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Si_(1-x)Ge_x:C buffers’ Growth Parameters on Ge films by Chemical Vapor Deposition

著者 (10件)： Ge Ruiping (Department of Physics, Nanjing University) ,  Han Ping (Department of Physics, Nanjing University) ,  Wu Jun (Department of Physics, Nanjing University) ,  Wang Ronghua (Department of Physics, Nanjing University) ,  Yu Fei (Department of Physics, Nanjing University) ,  Zhao Hong (Department of Physics, Nanjing University) ,  Yu Huiqiang (Department of Physics, Nanjing University) ,  Xie Zili (Department of Physics, Nanjing University) ,  Zhang Rong (Department of Physics, Nanjing University) ,  Zheng Youdou (Department of Physics, Nanjing University)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 36  号： 5  ページ： 1205-1208  発行年： 2009年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SI_(1-X)GE_XをSI(100)基板上に化学蒸着法により成長させた。C_(1-X)GE_Xを,X線回折(XRD),AUGER電子分光法(AES),RAMAN分光法(RAMAN)を用いて,バッファ層としてC層を用いて成長させ,GE_(1-X)GE_Xを特性化した。サンプルの構造特性に及ぼすCバッファ層の温度の影響を研究した。結果は以下を示す。SI_(1-X)GE_X;Cバッファ層中のGE原子濃度は表面から基板方向に沿って次第に低下し、その平均成分は成長温度の上昇に伴い低下した。これは,高い成長温度(760~820°C)による原子拡散効果と関連している。SI_(1-X)GE_X;Cバッファ層のエピタキシャル成長のGE薄膜は単一の結晶配向を持ち、薄膜の結晶品質は温度の上昇につれて低下する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶方位 ,  化学蒸着 ,  キャラクタリゼーション ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  構造特性 ,  *バッファ層 ,  電子分光法 ,  スペクトロスコピー
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  原子拡散 ,  *成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Ge films ,  Si_(1-x)Ge_x:C buffer ,  chemical vapor deposition ,  growth temperature

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  バッファ層 ,  成長温度 ,  研究