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J-GLOBAL ID：201702291136767541   整理番号：17A0026001

SiGe基板とGaAs基板のIn_0.23Ga_0.77AsチャネルMOSFETでの電流比I_ON/I_OFFと移動度の比較

The Comparison of Current Ratio $I_{¥mathrm{¥scriptscriptstyle ON}}/I_{¥mathrm{¥scriptscriptstyle OFF}}$ and Mobility Between SiGe Substrate and GaAs Substrate In_0.23Ga_0.77As Channel MOSFETs

著者 (9件)： Kong Xiangting (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liang Renrong (Tsinghua National Laboratory for information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Zhou Xuliang (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Li Shiyan (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Wang Mengqi (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Honggang (Microwave Device and IC Department, Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Wang Jing (Tsinghua National Laboratory for information Science and Technology, Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Wei (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Pan Jiaoqing (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 8  ページ： 3084-3087  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿は,有機金属化学蒸着で成長させたSiGe基板とGaAs基板のIn_0.23Ga_0.77AsチャネルMOSFETでのI_ON/I_OFFと移動度の比較を主に記述したものである。比較をより適正にするために,SiGe基板とGaAs基板のMOSFETの両方で同じサイズ(L_g=10μm)を選択した。SiGe基板MOSFETに関して,もっとも高いON電流対最低OFF電流比(I_ON/I_OFF)は1×10³以下であるが,GaAs基板MOSFETでは4×10⁴(両者ともゲートバイアスは3V)である。InGaAsチャネルへのGe拡散によって真性チャネルがn型ドープ半導体になってピンチオフ特性に影響するのである。SiGe基板MOSFETの最大実効移動度は1800cm²/V・sであり,GaAs基板MOSFETのものは2090cm²/V・sである。GaAs基板MOSFETの高い移動度の主な理由は,界面トラップ密度が低いのとアンドープInGaAsチャネルによるものと思われる。性能比較を通して,特にSiGe基板とGaAs基板MOSFETのI_ON/I_OFF比と移動度の比較を通して,SiGe基板上のInGaAsチャネルMOSFETの性能改善のためのいくつかの使用可能な方法を見出そうとしている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *基板 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  論理回路 ,  論理素子 ,  *MOSFET ,  半導体材料 ,  ケイ素合金 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  表面準位 ,  移動度
準シソーラス用語： GaAs ,  GaAs基板 ,  III-V半導体 ,  InGaAs ,  SiGe ,  SiGe合金 ,  ロジックゲート ,  界面準位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs基板 ,  チャネル ,  MOSFET ,  移動度