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J-GLOBAL ID:201702291246327433   整理番号:17A0471637

テトラキス(ジメチルアミノ)チタンとH_2O前駆体を用いた原子層蒸着による共形原子層TiO_2のウエハスケール作製【Powered by NICT】

Wafer-scale fabrication of conformal atomic-layered TiO2 by atomic layer deposition using tetrakis (dimethylamino) titanium and H2O precursors
著者 (6件):
資料名:
巻: 120  ページ: 99-108  発行年: 2017年 
JST資料番号: A0495B  ISSN: 0264-1275  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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正確な厚さ制御性と優れた均一性を有する超薄原子層酸化物の合成は,太陽電池とオプトエレクトロニクスの分野で重要な課題である。酸化剤としてテトラキス(ジメチルアミノ)チタン(TDMAT)前駆体とH_2Oを用いた原子層堆積(A LD)により達成Si/SiO_2基板上に原子層TiO_2膜のウエハスケール合成と共形成長。分光偏光解析法と原子間力顕微鏡(A FM)研究は,4インチのSi/SiO_2ウエハ上で約0.37±0.04nmの平均厚さを有するTiO_2層の共形成長を確認した。原子層状TiO_2膜は堆積温度の注意深い選択と前駆体のサイクルの数,開発したレシピに要約した。Fourier変換赤外(FTIR)分光法は,堆積した膜A LD開発TiO_2層とSi/SiO_2基質間の構造的結合の発生を確認にTi-O-TiとTi-O-Siの振動モードを明らかにした。in-situX線回折(XRD)測定は,開発した膜の結晶構造を示した。TiO_2膜の蒸着後アニーリングは,それらの電気伝導率を改善することを確認した。特に,150°Cでアニールした原子層TiO_2膜は,それらのバンドギャップは3.37eVに拡大されていることを明らかにしたバルクルチル(3.03eV)とアナターゼ(3.20eV)の以前に報告された値と比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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車体構造とぎ装  ,  セラミック・磁器の性質  ,  医用素材 

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