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J-GLOBAL ID：201702291296152242   整理番号：17A0312561

ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン(D NTT)とそのdidecylおよびジフェニル誘導体をベースにした低電圧有機薄膜トランジスタの詳細な解析と接触特性【Powered by NICT】

Detailed analysis and contact properties of low-voltage organic thin-film transistors based on dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) and its didecyl and diphenyl derivatives

著者 (9件)： Kraft Ulrike (Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany) ,  Kraft Ulrike (Department of Chemistry, Technical University Bergakademie Freiberg, Germany) ,  Takimiya Kazuo (Emergent Molecular Function Research Group, RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako, Saitama, Japan) ,  Kang Myeong Jin (Department of Applied Chemistry, Hiroshima University, Higashi-Hiroshima, Japan) ,  Rodel Reinhold (Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany) ,  Letzkus Florian (Institute for Microelectronics/IMS Chips, Stuttgart, Germany) ,  Burghartz Joachim N. (Institute for Microelectronics/IMS Chips, Stuttgart, Germany) ,  Weber Edwin (Department of Chemistry, Technical University Bergakademie Freiberg, Germany) ,  Klauk Hagen (Max Planck Institute for Solid State Research, Stuttgart, Germany)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 35  ページ： 33-40  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四種類の小分子半導体(ペンタセン,D NTT(ジナフト[2,3-b:2′,3′-f]チエノ[3,2-b]チオフェン),C_10D NTTとDPh D NTT)に基づく低電圧有機薄膜トランジスタ(TFT)を作製し,半導体薄膜形態,チャネル長さ100~1μmのトランジスタの電流-電圧特性,接触抵抗の詳細な比較を提供した。三チエノアセン誘導体D NTT,C_10D NTTとDPh D NTTは全てのペンタセンよりも有意に大きな電荷キャリア移動度と小さい接触抵抗を持っている。真性チャネル移動度(伝送線路法を用いて決定された)の観点から,C_10D NTTとDPh D NTTはD NTTよりも同様に,特に良好な非常に行い,C_10D NTTにおけるデシル置換基とDPh D NTTにおけるフェニル置換基はD NTT上の電荷輸送特性の増強の類似したレベルを提供することを示唆した。DPh D NTT TFTsはD NTTとC_10D NTT TFTsよりも実質的に小さい接触抵抗を示した,特に大きな有効移動度,特に非常に小さいチャネル長をもつトランジスタにおけるをもたらした。チャネル長1μmのDPh D NTT TFTsに対して,0.68cm~2Vの有効移動度を決定し,オン/オフ比10~8および100mV/decadeのサブしきい値スイングとした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  移動度 ,  *トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  *フェニル基 ,  電流電圧特性 ,  半導体薄膜 ,  接触抵抗 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  チャネル長 ,  電荷輸送 ,  チャネル移動度 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  接触抵抗 ,  有機半導体 ,  薄膜形態 ,  ジナフトチエノチオフェン(D NTT)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： チオフェン ,  NTT ,  ジフェニル ,  誘導体 ,  低電圧 ,  有機薄膜トランジスタ ,  解析