文献

J-GLOBAL ID：201702291331921790   整理番号：17A0758036

プレスパックSiC MOSFETの設計と評価【Powered by NICT】

Design and evaluation of press-pack SiC MOSFET

著者 (5件)： Zhu Nan (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Chen Min (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Xu Dehong (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Mantooth H. Alan (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, United States) ,  Glover Michael D. (Department of Electrical Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, United States)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 5-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCデバイスの応用を拡張した高出力範囲にプレスパック包装とSiC MOSFETの組合せの利点を調べた。SiC MOSFETに及ぼすプレスパック包装の実現可能性を低プロフィルインターポーザにおける「毛羽ボタン」と呼ばれる非常に小型でフレキシブルな接触ピンを用いて説明した。プレスパックのレイアウトは非常に低い主ループ寄生インダクタンス,ゲートループインダクタンス,共通ソースインダクタンスを持ち,並列素子間の良好なバランスを提供するように設計されている。プレスパックは能動素子とヒートシンク間の内部絶縁を提供しないので,ヒートシンクはパワーループに含まれている。寄生ループインダクタンスを最小にするために,厚さ3mm以下の水冷マイクロチャネルヒートシンクは,適切な熱散逸,電流輸送能力と冷却ループと電気ループ間の絶縁を得るために用いた。プレスパックSiC MOSFETの構造と製造プロセスフローを示した。提案したプレスパック構造の熱的および電気的性能を実験的に同様に試験した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヒートシンク ,  生産工程 ,  水冷 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 電流輸送 ,  熱散逸 ,  能動素子 ,  寄生インダクタンス ,  高出力 ,  *SiC-MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プレス ,  SiC ,  MOSFET ,  設計 ,  評価