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J-GLOBAL ID：201702291560463272   整理番号：17A0550016

4H-SiC MOSキャパシタにおけるSiC表面のCF₄エッチングの効果

著者 (10件)： 小早川貴一 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  村岡幸輔 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  瀬崎洋 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  瀬崎洋 (フェニテックセミコンダクター) ,  石川誠治 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  石川誠治 (フェニテックセミコンダクター) ,  前田知徳 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  前田知徳 (フェニテックセミコンダクター) ,  吉川公麿 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研) ,  黒木伸一郎 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-P5-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *薄膜コンデンサ ,  半導体材料 ,  エッチング ,  電圧 ,  *容量電圧特性 ,  フロン
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *MOSコンデンサ ,  フラットバンド電圧

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： 四ふっ化炭素

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  SiC ,  エッチング