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J-GLOBAL ID：201702291731871104   整理番号：17A0705560

g C_3N_4/graphene/g C_3N_4サンドイッチヘテロ構造の可変同調とかなり大きなバンドギャップ:van der Waals密度汎関数研究【Powered by NICT】

A tunable and sizable bandgap of a g-C₃N₄/graphene/g-C₃N₄ sandwich heterostructure: a van der Waals density functional study

著者 (3件)： Dong M. M. (State Key Laboratory for Mechanical Behavior of Materials, School of Materials Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China. [e-mail]) ,  He C. ,  Zhang W. X.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 15  ページ： 3830-3837  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： g C_3N_4/graphene/g C_3N_4(g C_3N_4/SLG/g C_3N_4)サンドイッチヘテロ構造の構造及び電子特性をvan der Waals補正を含む密度汎関数理論を用いて系統的に調べた。結果はC_3N_4/SLG/g C_3N_4サンドイッチヘテロ構造のバンドギャップは歪みのない106meVに公開できることを示した。歪適用はサンドイッチヘテロ構造の電子特性を調整するための有望な方法である。一軸歪を適用した後,ヘテロ構造は構造の影響無しに圧縮歪よりも大きな引張歪に耐えることができる,バンドギャップはX方向歪によって容易に増加した。5%X方向歪を印加すると,バンドギャップは525meVに開放することができ,一方高いキャリア移動度を維持している。これらの電子特性は,ナノデバイスへの応用の可能性を提供するかもしれない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *密度汎関数法 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  引張歪 ,  圧縮歪 ,  一軸歪 ,  *可変同調 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： サンドイッチ ,  ヘテロ構造 ,  可変同調 ,  バンドギャップ ,  VAN ,  密度汎関数 ,  研究