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J-GLOBAL ID：201702291794860838   整理番号：17A0319137

LTCC技術のためのLi_2O B_2O_3 SiO_2~-CaO Al_2O_3とBi_2O_3を共ドープした磁気回転Li_0 43Zn_0 27Ti_0 13Fe_2 17O_4フェライトセラミックス【Powered by NICT】

Li₂O-B₂O₃-SiO₂-CaO-Al₂O₃ and Bi₂O₃ co-doped gyromagnetic Li_0.43Zn_0.27Ti_0.13Fe_2.17O₄ ferrite ceramics for LTCC Technology

著者 (11件)： Zhou Tingchuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Zhang Huaiwu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Liu Cheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Jin Lichuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Xu Fang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Liao Yulong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Jia Ning (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Wang Yu (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Gan Gongwen (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Su Hua (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China) ,  Jia Lijun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054 People’s Republic of China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 14  ページ： 16198-16204  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 修正低温液相焼結法はコンパクトな構造と固相反応法により改良された特性を有するLi_0 0.43Zn_0 27Ti_0 13Fe_2 17O_4フェライトセラミックを作製することを試みた。Li_2O B_2O_3 SiO_2~-CaO Al_2O_3(LBSCA)ガラスの固定量はLi_0 0.43Zn_0 27Ti_0 13Fe_2 17O_4粉末に添加された950°C以下の焼結温度を低下させたが,Bi_2O_3酸化物の添加は微細構造を最適化し,磁気と磁気回転特性の改善に寄与した。飽和磁化(M s),保磁力(H c)および強磁性共鳴線幅(ΔH)を含む選択されたパラメータはドーピング量の関数として研究し,空隙率と微細構造との関係についても考察した。LBSCAガラスの0.3wt%と0.03wt%Bi_2O_3の共ドーピングにより940°Cで試料再焼結は,Ms=73.32emu/g,Hc=120A/mとΔH=163Oeの優れた磁気および磁気回転特性を示し,それはLTCC移相器作製に有望であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *磁気 ,  *フェライト ,  保磁力 ,  低温 ,  強磁性共鳴 ,  最適化 ,  液相焼結 ,  *ドーピング ,  移相器 ,  飽和磁化 ,  固相反応 ,  空隙率
準シソーラス用語： 共ドーピング ,  線幅 ,  焼結温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： LBSCAガラス ,  Bi_2O_3酸化物 ,  共ドーピング ,  LTCC ,  LiZnTiフェライト ,  磁気回転特性

分類 (1件)： ガラスの性質・分析・試験  (YC02030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： LTCC ,  CaO ,  ドープ ,  磁気 ,  フェライト ,  セラミックス