FIB-SEM二重ビームシステムを用いた大規模横断展望面積試料上での高速レーザ除去法の応用【Powered by NICT】

Zhao Y.Z.; Zhao Y.Z.; Wang Q.J.; Tan P.K.; Yap H.H.; Liu B.H.; Feng H.; Tan H.; He R.; Huang Y.M.; Wang D.D.; Zhu L.; Chen C.Q.; Rivai F.; Lam J.; Mai Z.H.

文献

J-GLOBAL ID：201702291924945115 整理番号：17A0362480

FIB-SEM二重ビームシステムを用いた大規模横断展望面積試料上での高速レーザ除去法の応用【Powered by NICT】

Application of Fast Laser Deprocessing Techniques on large cross-sectional view area sample with FIB-SEM dual beam system

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資料名：
巻： 64 ページ： 362-366 発行年： 2016年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

断面解析は物理的故障解析のための重要な分野の1つである。集束イオンビーム(FIB)と機械研磨試料調製である一般的に使用されると必要な半導体産業における技術と故障解析(FA)会社(WillsとPerungulam,2007)。しかし,各方法はそれ自身の限界がある。機械的研磨法は,機械的力によるアーチファクト,特に進歩技術ノードを容易に引き起こす。FIBは機械的に損傷を受けたアーチファクトを除去できるが,断面図面積に限界がある。もう一つの可能性のある技術はプラズマFIBであろう,非常に高いミリング電流と高速ミリング速度(Hrncir.,2013)を用いた。しかし,非常に高いコストを伴っていると汚染問題を持っていた。汚染問題は低kV走査電子顕微鏡(SEM)結像品質に大きく影響する。最近の半導体産業FAでは,低kV SEMイメージングは,高kVイメージングは,パッケージされた試料からの有機材料に特に剥離アーチファクトを紹介する。本論文では,さらに高速サイクル時間と低コスト装置を用いた大面積断面FAに増強される高速レーザデプロセッシング技術(FLDT)の応用。これは機械的損傷から防ぐことである。要するに,提案したFLDT断面FAにおける欠陥同定のための試料をdeprocessに費用効果が良くて迅速な方法である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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