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J-GLOBAL ID：201702291944767146   整理番号：17A0754672

サイズと密度は制御された記憶応用のためのAgナノクラスタに埋め込まれたMOS構造【Powered by NICT】

Size and density controlled Ag nanocluster embedded MOS structure for memory applications

著者 (7件)： Biswas Debaleen (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India) ,  Mondal Shyamal (Maharaja Manindra Chandra College, 20, R. Bose St, Kolkata 700003, India) ,  Rakshit Abhishek (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India) ,  Rakshit Abhishek (Homi Bhabha National Institute, BARC Training School Complex, Anushaktinagar, Mumbai 400094, India) ,  Bose Arijit (Jadavpur University, 188, Raja S. C. Mallick Road, Kolkata 700032, India) ,  Bhattacharyya Satyaranjan (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India) ,  Chakraborty Supratic (Saha Institute of Nuclear Physics, 1/AF Bidhannagar, Kolkata 700064, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 63  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： それらのサイズと密度の独立制御を持つ四重極質量フィルタ(QMF)集合と結合したマグネトロンベースナノクラスタ源により堆積した,金属ナノクラスタ(NC)はNCベース不揮発性メモリ(NVM)素子を作製するのに使用した。Agは金属NCとして使用されるNVM電荷蓄積特性に及ぼす直径と密度の影響を提示した。HfO_2トンネルと制御酸化物間にサンドイッチされたAgNCは上記二装置の組合せを用いて堆積した。アニーリングは,デバイス製造のどの段階でも行われていない。金属-酸化物-半導体(MOS)特性の静電容量-電圧(C V)特性における最大のヒステリシスループ面積は1×10~11cm~ 2のクラスタ密度で観察された。さらに,NC直径はNC密度を1×10~11cm~ 2で3から1.5nmに変化させたがNCサイズ依存性ヒステリシスループ面積はMOSデバイスで観測された。デバイス性能はNCサイズの減少と共に改善されることが判明し,NC直径1.5nmのその最良を示した。NVM素子の貯蔵時間もNC直径の減少と共に増加し,直径1.5nmのNCでは,最良の性能を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  四重極 ,  帯電 ,  *銀 ,  半導体 ,  *クラスタ ,  酸化物 ,  *ナノクラスタ ,  静電容量 ,  *MOS構造 ,  不揮発性メモリ ,  MOSFET
準シソーラス用語： サイズ依存性 ,  ヒステリシスループ ,  金属ナノクラスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： MOS ,  Ag NC ,  QMF ,  サイズ ,  密度 ,  NVM

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： サイズ ,  密度 ,  応用 ,  Ag ,  ナノクラスタ ,  MOS構造