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J-GLOBAL ID:201702292173201385   整理番号:17A0026327

LuAG:CeおよびLuAG:Ce,Pr膜のエピタキシャル成長とそのシンチレーション特性

Epitaxial Growth of LuAG:Ce and LuAG:Ce,Pr Films and Their Scintillation Properties
著者 (9件):
資料名:
巻: 63  号:ページ: 1726-1732  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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CeおよびCe+PrをドープしたLu3Al5O12(LuAG)単結晶膜(SCF)を液相成長(LPE)によりLuAG及びY3Al5O12(YAG)基板上に成長させた。LuAG:CeおよびLuAG:Ce,Pr SCFの構造特性をX線回折により調べた。SCFの光学特性を陰極線ルミネセンス(CL)スペクトル,シンチレーション光収率(LY),α粒子(239Pu)励起下の崩壊動力学,X線励起ルミネセンス,熱刺激ルミネッセンス(TSL)と残光測定により調べた。LuAG基板上に成長させたSCFは良好な表面品質と構造完全性を示したが,YAG基板上に成長したSCFは,膜と基板との間の格子不整合(0.82%)のために表面が粗く,結晶品質が劣っていた。LuAG:Ce SCFのLYは,参照として用いた最良のYAG:Ce SCFサンプルの二倍を超えた。最適化したCe濃度を有するLuAG:Ce SCFは,X線励起下で,参照YAG:Ce単結晶(SC)シンチレータに近い(77%)LYを示した。LuAG:CeとLuAG:Ce,Pr SCFのアフターグローは,試験した参照LuAG:Ce SCのそれよりも一桁低かった。しかし,SCFがSC対応物よりもはるかに低い抗サイトおよび空孔型欠陥の濃度を示すという事実にも係わらず,室温(RT)でのアフターグローの完全な抑制はなかった。これは,室温より上のTSLの原因である他の捕獲中心の存在により説明できる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST
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分類 (3件):
分類
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無機化合物のルミネセンス  ,  放射線検出・検出器  ,  酸化物の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
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