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J-GLOBAL ID：201702292227965181   整理番号：17A0389383

低消費電力を用いたGaP薄膜中の局所ナノスケール抵抗スイッチング【Powered by NICT】

Localised nanoscale resistive switching in GaP thin films with low power consumption

著者 (8件)： Kurnia Fran (School of Materials Science and Engineering, UNSW Sydney, NSW 2052, Australia. [e-mail]) ,  Liu Chunli ,  Liu Guangqing ,  Vasudevan Rama K. ,  Yang Sang Mo ,  Kalinin Sergei V. ,  Valanoor Nagarajan ,  Hart Judy N.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 8  ページ： 2153-2159  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶GaP薄膜におけるエレクトロフォーミングフリー抵抗スイッチング(RS)挙動のナノスケール局在を初めて観測した。導電性原子間力顕微鏡と第一次反転曲線電流-電圧測定の組み合わせは,結晶粒界が導電性スイッチングフィラメントの形成のための優先部位であることを示した。,TEMおよびXPS結果に基づいて,結晶粒界に沿ったGaイオンの局所電気化学マイグレーションはスイッチング機構において重要な役割を果たすことを提案した。低抵抗(ON)状態では,伝導機構は空間電荷制限電流機構であることが分かったが,高抵抗(OFF)状態は,Frenkel-Poole機構により支配された。,シリコン基板とGaPの容易な統合に加えて,高いOFF/ON抵抗比(~10~4)と電流RSデバイスよりも低い電力消費はこれらのGaP膜は,将来の不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)における将来の応用に有望である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *リン化ガリウム ,  電力消費 ,  多結晶 ,  空間電荷制限電流 ,  結晶粒界 ,  非揮発性 ,  電気化学 ,  導電性 ,  *スイッチング ,  オン抵抗 ,  *ガリウム
準シソーラス用語： ReRAM ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  *抵抗スイッチング ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低消費電力 ,  GAP ,  薄膜 ,  ナノスケール ,  抵抗スイッチング